1月24日，韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称，中国半导体业界正在加紧开发尚未商用化的“3D DRAM”。3D DRAM被誉为可以左右今后存储器市场霸权走向的“梦想技术”，但没有一家企业掌握主导权。有人担心，试图掌握世界半导体主导权的中国很有可能迅速抢占该技术，威胁韩国在DRAM领域的地位。

　　据业内人士20日透露，长江存储、中国科学院等中国知名DRAM制造商和半导体技术研究机构相继发表了3D DRAM相关研究结果。

　　长江存储与中科院推出了一种仅用两个晶体管（2T0C）制造DRAM存储器件的技术。现有的 DRAM 单元由一个晶体管和一个电容器 (1T1C) 组成。去掉了在现有结构中占据很大体积的电容器，增加了一个晶体管。韩国业内人士认为，由于技术限制，中国企业和机构很难立即实施“2T0C”结构。但同时警告说，韩国应该密切关注正在加速开发3D DRAM的中国公司和国家研究机构的动向。这是因为不能排除在通过各种研究成果积累专业知识的同时，中国在世界上首次实现原始技术的可能性。

　　中国想抢占3D DRAM技术的原因多种多样。首先，3D DRAM与现有的2D DRAM市场不同，是没有企业掌握独特主导权的“无主”市场。三星电子在世界DRAM市场上占据40%以上的占有率，位居第一，虽然在2019年对3D DRAM结构概念申请了专利，但直到2021年才在设备解决方案部门内新设新一代工程开发组，开始着手研究。SK海力士也在内部进行3D DRAM研究，去年首次向大众公开了3D DRAM概念。

　　另外，如果中国率先开发3D DRAM的源泉技术，美国的对华半导体设备限制也会失效。美国从2019年6月开始禁止荷兰ASML向中国出口先进的极紫外光（EUV）曝光设备。如果掌握3D DRAM技术，即使没有EUV设备，也能制造出比现有DRAM容量更大的DRAM。目前，长江存储等中国企业在全球DRAM市场上的占有率仅为1%左右。但有分析认为，如果中国投入技术人力和巨额资本，提前生产3D DRAM，那么DRAM市场的优势将一下子从韩国转向中国。